Samsung 990 EVO SSD - 1TB - PCIe 5.0 - M.2 2280
Samsung 990 EVO SSD - 1TB - PCIe 5.0 - M.2 2280
Samsung 990 EVO solid state-drevet kombinerer hastighed, kapacitet og sikkerhed for at tilbyde en pålidelig lagringsløsning. Med en kapacitet på 1 TB giver den rigelig plads til alle dine lagringsbehov. Drevet har imponerende læsehastigheder på op til 5000 MBps og skrivehastigheder på op til 4200 MBps, hvilket sikrer hurtige opstartstider og hurtig adgang til dine data. Den har PCI Express 4.0 x4 og PCI Express 5.0 x2 grænseflader til alsidig og højhastighedsforbindelse. Sikkerhed er en prioritet, med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0, der beskytter dine følsomme data. Derudover forhindrer Dynamic Thermal Guard-beskyttelsen overophedning og opretholder pålidelig ydeevne. Uanset om det er til arbejde eller leg, er Samsung 990 EVO designet til at imødekomme kravene i højtydende computermiljøer.
-
Varenummer 1001850672
Model MZ-V9E1T0BW
Producent
Gå til producentens hjemmesideEAN 8806095300276
Vægt 0.08 kg
-
Informationer/specifikationer på siden er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.
| Kapacitet | 1 TB |
| overførselshastighed: | 5000 Mbps (læs) / 4200 Mbps (skriv) |
| IOPS: | 680000 Mbps (læs) / 800000 Mbps (skriv) |
| størrelse: | M.2 2280 (80mm) |
| Intern grænseflade | PCIe 5.0 |
| Grænseflade | 1x M.2 |
| Mål (BxHxD) | Bredde: 80 mm x Højde: 22 mm x Dybde/længde: 2,38 mm |
| Vægt | 9 gram |
| Generelt | |
|---|---|
| Bredde | 22 mm |
| Dybde | 80 mm |
| Egenskaber | TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, S.M.A.R.T. |
| Enhedstype | Solid state-drev - intern |
| Grænseflade | PCIe 5.0 x2 (NVMe) |
| Hardware kryptering | Ja |
| Højde | 2.38 mm |
| Kapacitet | 1 TB |
| Krypterings algoritme | 256-bit AES |
| Model | M.2 2280 |
| NAND Flashhukommelses-type | Tredobbelt-niveau celle (TLC) |
| Vægt | 9 g |
| Præstation | |
| 4KB Random Read | 20000 IOPS |
| 4KB Random Write | 90000 IOPS |
| Intern datahastighed | 5000 MBps (læs) / 4200 MBps (skriv) |
| Maksimal 4 KB tilfældig læsning | 680000 IOPS |
| Driftssikkerhed | |
| MTBF (forventet tid mellem fejl) | 1.500.000 timer |
| Ekspansion og forbindelse | |
| Kompatibel bås | M.2 2280 |
| Effekt | |
| Strømforbrug | 5.5 Watt (læs) | 4.7 Watt (skriv) | 60 mW (standby) |
| Programmer & Systemkrav | |
| Med software | Samsung Magician Software |
| Diverse | |
| Overensstemmelsesstandarder | IEEE 1667 |
| Pakkedetaljer | Boks |
| Producentgaranti | |
| Service & Support | Begrænset garanti - 5 år |
| Miljømæssige parametre | |
| Maks. driftstemperatur | 70 °C |
| Min. driftstemperatur | 0 °C |
| Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) | 1500 g @ 0,5 ms |
Forbedret holdbarhed
Samsung 990 EVO er udstyret med Dynamic Thermal Guard-beskyttelse og sikrer optimal ydeevne ved at forhindre overophedning, hvilket gør den til et pålideligt valg til intensive opgaver.
Enestående hastighed
Med en imponerende intern datahastighed på op til 5000 MBps til læsning og 4200 MBps til skrivning giver dette solid state-drev hurtige opstartstider og hurtig adgang til dine data.
Avanceret sikkerhed
Med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 giver Samsung 990 EVO pålidelig databeskyttelse, der beskytter dine følsomme oplysninger mod uautoriseret adgang.
Storage med høj kapacitet
Med en kapacitet på 1 TB giver dette solid state-drev rigelig plads til dine filer, programmer og spil, hvilket sikrer, at du har alle dine væsentlige ting lige ved hånden.
Effektiv strømstyring
Auto Garbage Collection Algorithm og Device Sleep support arbejder sammen for at reducere strømforbruget og forlænge levetiden på dit drev og bærbare batteri.