DA   EN

Samsung 990 EVO Solid state-drev MZ-V9E2T0BW 2TB M.2 PCI Express 4.0 x4 (NVMe) PCI Express 5.0 x4 (NVMe)

Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - krypteret - 2 TB - intern - M.2 2280 - PCI Express 5.0 x4 (NVMe) - 256-bit AES - TCG Opal Encryption 2.0
1 329,00DKK1 063,20DKK ekskl. moms

Samsung 990 EVO solid state-drevet tilbyder høj kapacitet, hurtige dataoverførselshastigheder og avancerede sikkerhedsfunktioner til en effektiv lagringsløsning. Med en kapacitet på 2 TB og hastigheder på op til 5000 MBps til læsning og 4200 MBps til skrivning forbedrer det din computeroplevelse. Drevet bruger en PCI Express 5.0 x4 (NVMe) grænseflade til effektiv dataoverførsel og drift. Sikkerhed prioriteres med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0, hvilket sikrer, at dine data er beskyttet. Derudover hjælper Dynamic Thermal Guard-beskyttelsen med at forhindre overophedning og opretholde ydeevnen under krævende opgaver. Samsung 990 EVO er velegnet til både professionel og personlig brug og er bygget til at understøtte højtydende computermiljøer.

  • Varenummer 1001850673

    Model MZ-V9E2T0BW

    Producent
    Gå til producentens hjemmeside

    EAN 0887276798028

    Vægt 0.08 kg

  • Informationer/specifikationer på siden er vejledende og kan uden varsel være ændret af producenten. Der tages forbehold for trykfejl og vejledende billeder.
Produktbeskrivelse Samsung 990 EVO MZ-V9E2T0BW - SSD - 2 TB - PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Type Solid state-drev - intern
Kapacitet 2 TB
Hardware kryptering Ja
Krypterings algoritme 256-bit AES
NAND Flashhukommelses-type Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Model M.2 2280
Grænseflade PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Egenskaber TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM cache, S.M.A.R.T.
Dimensioner (B x D x H) 22 mm x 80 mm x 2.38 mm
Vægt 9 g
Producentgaranti 5 års garanti
Generelt
Bredde 22 mm
Dybde 80 mm
Egenskaber TRIM support, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, Device Sleep support, Samsung V-NAND TLC Technology, 2 GB LPDDR4 DRAM cache, S.M.A.R.T.
Enhedstype Solid state-drev - intern
Grænseflade PCI Express 5.0 x4 (NVMe)
Hardware kryptering Ja
Højde 2.38 mm
Kapacitet 2 TB
Krypterings algoritme 256-bit AES
Model M.2 2280
NAND Flashhukommelses-type Tredobbelt-niveau celle (TLC)
Vægt 9 g
Præstation
4KB Random Read 22000 IOPS
4KB Random Write 90000 IOPS
Intern datahastighed 5000 MBps (læs) / 4200 MBps (skriv)
Maksimal 4 KB tilfældig læsning 700000 IOPS
Ekspansion og forbindelse
Kompatibel bås M.2 2280
Effekt
Strømforbrug 5.4 Watt (læs) | 4.7 Watt (skriv)
Programmer & Systemkrav
Med software Samsung Magician Software
Diverse
Overensstemmelsesstandarder IEEE 1667
Pakkedetaljer Boks
Producentgaranti
Service & Support Begrænset garanti - 5 år
Miljømæssige parametre
Maks. driftstemperatur 70 °C
Min. driftstemperatur 0 °C
Modstandsdygtighed over for stød (non-operativ) 1500 g @ 0,5 ms

Forbedret holdbarhed

Samsung 990 EVO er udstyret med Dynamic Thermal Guard-beskyttelse og sikrer optimal ydeevne ved at forhindre overophedning, hvilket gør den til et pålideligt valg til intensive opgaver.

Højhastighedsydelse

Med en intern datahastighed på op til 5000 MBps til læsning og 4200 MBps til skrivning sammen med PCI Express 5.0 x4 (NVMe) interface tilbyder dette solid state-drev hurtige dataoverførselshastigheder, hvilket forbedrer din computeroplevelse.

Robust sikkerhed

Med 256-bit AES-hardwarekryptering og TCG Opal Encryption 2.0 giver Samsung 990 EVO avanceret datasikkerhed, der beskytter dine følsomme oplysninger mod uautoriseret adgang.

Effektiv drift

Auto Garbage Collection Algorithm og Device Sleep support bidrager til effektiv strømstyring, hvilket reducerer energiforbruget og opretholder høj ydeevne.

Ekstraordinær kapacitet

Med en kapacitet på 2 TB og udstyret med en 2 GB LPDDR4 DRAM-cache tilbyder denne harddisk rigelig lagerplads og forbedrede datahentningshastigheder, hvilket gør den ideel til tunge applikationer.